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J-GLOBAL ID：200903032504961774

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 西村 宏 ,  受田 高明 ,  中林 隆 ,  篠原 昭平
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993007245
Publication number (International publication number)：1994216260
Application date： Jan. 20, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するもので、高い信頼性を有する、接続孔における配線を提供することを目的とする。【構成】 結晶粒径を微細化したAl膜11を堆積した後、熱処理を行い、Al膜11を流動させ接続孔に埋め込むという構成を備えたことを特徴とする。【効果】 Al膜の結晶粒径を微細化することにより、結晶粒界密度を高くすることができるので、Al膜の自由エネルギーを大きくすることができる。よって、より少ないエネルギーで結晶状態を変化させることができる。すなわち、再結晶化温度を低くすることができるので、Al膜が流動を始める臨界温度を低くすることができる。したがって、Al膜堆積後の熱処理温度を低くすることができるので、接合リークを引き起こすことなく、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションによる、接続孔における配線の断線不良を防止することが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を被着する工程と、前記絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記接続孔内および前記絶縁膜上に結晶粒径を微細化した導電膜を形成する工程と、熱処理により前記導電膜を加熱し流動させて前記接続孔に埋め込む工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205