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J-GLOBAL ID：200903032509194917

半導体装置の製造方法

Inventor： 小林 健二 ,  枦 正人
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 楠本 高義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991283692
Publication number (International publication number)：1993102302
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大面積のガラス基板に複数の半導体素子を形成した後、そのガラス基板を折割りして個々の半導体装置を製造する際、ガラス基板の折割りを容易にするとともに、折り割られる半導体装置に作用する捩じりによる応力と歪を極力小さくし、歩留りと信頼性を向上させる。【構成】 半導体素子(10)の形成された大面積のガラス基板13に所望のパターンのスクライブ溝50を形成した後、そのガラス基板13を液体窒素などの極低温液中に浸漬して冷却による熱衝撃を与え、次いでガラス基板13をスクライブ溝50で折割りする。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に複数の半導体素子を形成した後、該複数の半導体素子が形成されたガラス基板に所望のパターンのスクライブ溝を形成し、次いで該ガラス基板を折り割りして半導体素子を備えた半導体装置を製造する方法において、前記スクライブ溝を形成した後、該ガラス基板の全領域を極低温に冷却し、次いで前記形成されたスクライブ溝で順次折り割りすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/78 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A