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J-GLOBAL ID:200903032512872381

太陽電池の製造方法および装置、並びに無定形シリコンの被着方法および被着チャンバ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷 義一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991112649
Publication number (International publication number):1995038125
Application date: May. 19, 1981
Publication date: Feb. 07, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】相異なる導電型の無定形半導体材料で形成された互いに隣接する層が、分離された別々のグロー放電チャンバ内で被着されるような太陽電池の製造方法および装置を提供する。【構成】無定形半導体の基板への被着は被着チャンバ24,26および28内でおこなわれる。チャンバ24,26および28は個々の反応ガス混合物の成分が混入し合うのを避けるために相互に隔離されており、相互混合・汚染を防止するために、基板が通過し得る狭いスリットを持ち基板を囲包する分離76および78を採用している。こうして、電気特性の良好な無定形シリコン層を持つ電池が得られる。
Claim (excerpt):
帯状アルミニウム基板上に陽極酸化層を形成し、該陽極酸化表面上に一連のベースコンタクトを離間させて形成し、グロー放電プラズマから無定形シリコンを各ベースコンタクトの少なくとも一部に被着し、および該被着した無定形シリコン層の少なくとも一部にトップコンタクトを形成することを特徴とする太陽電池の連続的製造方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 特開昭55-059783
  • 特開昭54-091048
  • 特開昭54-109767
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