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J-GLOBAL ID：200903032518194750

CuInSe2系光電変換素子の作製方法

Inventor： 菅野 克夫 ,  石田 典也 ,  光根 裕 ,  伊藤 和人 ,  菊地 英治
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991230912
Publication number (International publication number)：1993048141
Application date： Aug. 19, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 改善された光起電力を持つCuInSe2 系光電変換素子を、安全かつ経済的に作製する方法の開発。【構成】 膜厚約 0.1μmのMoスパッター膜付きガラス基板上に気相セレン化法で厚さ 0.5μmのp形CuInSe2 膜を形成した後、Br2 濃度 0.005mol/l 、KBr濃度 150 g/lの水溶液でCuInSe2 膜表面を 200A(オングストローム)エッチング除去し、純水で洗浄、乾燥した後、ノンドープCdSを2,000 A、InドープCdSを 8,000Aを順次蒸着して光電変換素子を作製する。

Claim (excerpt)：

基板上のp形CuInSe2 層にn形半導体層を積層してpn接合を形成する光電変換素子の作製において、n形半導体層を積層する前にp形CuInSe2 層表面を 100〜500 A(オングストローム)の極微小な厚さでエッチング除去することを特徴とするCuInSe2 系光電変換素子の作製方法。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/308 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E