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J-GLOBAL ID：200903032524282393

透明電極上の電極形成法

Inventor： 久松 雅哉 ,  三村 敏彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344490
Publication number (International publication number)：1994196730
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 透明電極上に低抵抗で高精細な電極を安価に且つ高信頼性で形成する。【構成】 透明電極10の上に形成した第1の導電層11の上に、はんだ溶解浴への浸漬処理により第2の導電層12を形成し、更に第2の導電層12の上にクリーム状のはんだの加熱溶融処理により第3の導電層13を順次積層する。また第3の導電層13に用いるはんだの融点を第2の導電層12に用いるはんだの融点よりも低くしても良い。

Claim (excerpt)：

透明電極上に第1の導電層を形成し、次いではんだ溶解浴に浸漬して第2の導電層を前記第1の導電層上に形成するとともに、前記第2の導電層上にクリーム状のはんだを所望の厚さに形成し、前記クリーム状のはんだを加熱溶解して第3の導電層を形成してなることを特徴とする電極形成法。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/321

FI (3)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M ,  H01L 21/92 F