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J-GLOBAL ID：200903032529726150

レジストパターンの形成方法及び微細加工方法

Inventor： 谷平 昌英
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998108653
Publication number (International publication number)：1999288877
Application date： Apr. 03, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 フォトレジストと現像液との親和性の不足によって発生する気泡を低減させ、高精度のレジストパターン形成及び微細加工を可能にすること。【解決手段】 半導体基体上にフォトレジスト膜を設ける第1工程と、フォトレジスト膜を所定の微細パターンに露光処理する第2工程と、露光処理されたフォトレジスト膜表面を、フォトレジスト膜と現像液との親和性を向上させるアルコール水溶液等を用いて処理する第3工程と、前記現像液を用いて前記フォトレジスト膜を現像処理する第4工程とを有する、レジストパターンの形成方法及び微細加工方法。

Claim (excerpt)：

フォトレジスト膜を所定形状にパターニングするレジストパターンの形成方法において、基体上にフォトレジスト膜を設ける第1工程と、前記フォトレジスト膜を所定形状に露光処理する第2工程と、前記露光処理されたフォトレジスト膜表面を、前記フォトレジスト膜と現像液との親和性を向上させる前処理剤を用いて処理する第3工程と、前記現像液を用いて前記フォトレジスト膜を現像処理する第4工程とを有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/30 568 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/306 D