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J-GLOBAL ID：200903032532928413

全反射PIXE分析法及びその装置

Inventor： 開本 亮
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994067295
Publication number (International publication number)：1995280753
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜結晶体を使用することで、高速荷電粒子ビームを平行にコリメートする全反射PIXE分析法及び装置を提供する。【構成】 高速荷電粒子ビームSを、結晶体1の結晶軸2に沿った角度で入射することによって、平行なコリメートビームとして取り出す。この平行にコリメートされた平行ビームPを極めて小さい角度で分析試料Wに照射することによって、分析試料Wから発生した特有X線UをX線検出器4で検出して、分析試料Wに含まれた元素の定量を行う。

Claim (excerpt)：

高速荷電粒子ビームを平行にコリメートし、分析試料の表面に極めて小さい角度で入射させ、分析試料の最表面層に含まれる元素を励起して発生した特性X線を検出することによって、この元素を定量する全反射PIXE分析法において、前記高速荷電粒子ビームを、比較的薄い結晶体の結晶軸に沿った角度で入射させことによって、平行にコリメートすることを特徴とする全反射PIXE分析法。