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J-GLOBAL ID：200903032536375702

高純度化ポリチオフェン誘導体から成る光電変換素子用光キャリアー生成および輸送材料薄膜

Inventor： シャム スディル パンディ ,  金藤 敬一 ,  ▲高▼嶋 授
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 筒井 知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000003150
Publication number (International publication number)：2001196662
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 簡易且つ低コストの手段により、光電変換素子用キャリアー生成および輸送材料薄膜として好適な光キャリアー移動度の高いポリチオフェン誘導体を得る。【解決手段】 3位がアルキル基またはアルコキシ基で置換されたチオフェン誘導体からFeCl3を酸化触媒とする酸化重合反応によって生成されるポリチオフェン誘導体を精製する、すなわち、重合反応後に、アルカリ水溶液(例えばアンモニア水)を用いて洗浄を行うことによりFeCl3触媒の塩化物イオンを除去し、さらに、鉄錯体形成性化合物(例えばエチレンジアミンテトラ酢酸)を用いて洗浄を行うことによりFeCl3触媒の鉄イオンを除去する。得られる高純度化ポリチオフェン誘導体の薄膜は光キャリアー移動度が高く光電変換素子用光キャリアー生成および輸送材料として適する。

Claim (excerpt)：

3位がアルキル基またはアルコキシ基で置換されたチオフェン誘導体からFeCl3を酸化触媒とする酸化重合反応によって生成されるポリチオフェン誘導体を精製する方法であって、前記重合反応後に、アルカリ水溶液を用いて洗浄を行うことによりFeCl3触媒の塩化物イオンを除去する工程、さらに、鉄錯体形成性化合物を用いて洗浄を行うことによりFeCl3触媒の鉄イオンを除去する工程を含むことを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 51/10 ,  H01L 31/08

F-Term (3)：

5F088AB11 ,  5F088BA18 ,  5F088CB20