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J-GLOBAL ID：200903032552071616

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 公敏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 村上 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991246976
Publication number (International publication number)：1993063212
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体圧力センサ、半導体加速度センサ等のダイヤフラム形成方法に関し、ダイヤフラム厚さを均一に制御することを目的とする。【構成】 比抵抗の高い半導体基板100と比抵抗の低い半導体基板101とを接合して、比抵抗の高い半導体基板100の表面側から研削を行ない必要なダイヤフラム厚さに加工する。そして、比抵抗の高い半導体基板100の表面に圧力検出用等の素子(拡散抵抗3等)を形成した後、比抵抗の低い半導体基板101の裏面側から、所定エッチング液によりエッチングを行い、ダイヤフラム8を作成するものである。また、高濃度不純物(高濃度ボロン)を注入した半導体基板を用意して、この高濃度面を介してもう一方の半導体基板と接合し、この高濃度不純物面をエッチング停止面としてダイヤフラムエッチングを行なうものである。

Claim (excerpt)：

比抵抗の高い半導体基板の反対主面と比抵抗の低い半導体基板の主面とを接合する工程と、比抵抗の高い半導体基板の主面側から研削を行ない、比抵抗の高い半導体基板を必要なダイヤフラム厚さに加工する工程と、比抵抗の高い半導体基板の主面に圧力検出用素子等を形成する工程と、比抵抗の低い半導体基板の反対主面側から所定エッチング液によりエッチングを行ない、前記圧力検出用素子に対応したダイヤフラムを作成する工程からなる半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  G01L 19/00 ,  H01L 21/306