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J-GLOBAL ID：200903032560355585

レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 川井 健治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002007228
Publication number (International publication number)：2003209046
Application date： Jan. 16, 2002
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 塩基性物質を含む下地膜とその上に形成される化学増幅型レジストとの界面における酸失活現象を抑制し、塩基性物質を含む下地膜上でも精度の高いレジストパターンを形成する。【解決手段】 塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンガスを含むガスによるプラズマを晒す表面改質処理を行う工程と下地膜上に化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えるようにしたものである。

Claim (excerpt)：

塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンを含むガスを用いたプラズマ中に晒す表面処理工程と、表面処理された前記下地膜上に化学増幅型レジストを形成する工程と、前記化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って前記化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えたレジストパターン形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 502 Z ,  H01L 21/302 H

F-Term (31)：

2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA06 ,  2H096CA20 ,  2H096DA03 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096LA30 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F046CC01 ,  5F046HA05 ,  5F046HA07