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J-GLOBAL ID：200903032564944496

薄膜磁気素子及びその製造方法

Inventor： 寺坂 正二 ,  三寺 正雄 ,  白川 究 ,  松本 文夫 ,  藤森 啓安 ,  増本 健 ,  大沼 繁弘 ,  山口 一幸
Applicant, Patent owner： 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994029368
Publication number (International publication number)：1995240315
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高周波領域でインダクタンスなどの電気的、磁気的特性の優れた薄膜磁気素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、導体コイル11と絶縁層を介した強磁性体よりなる上部磁心2u,下部磁心2dとからなる薄膜磁気素子において、強磁性体よりなる上部磁心2u,下部磁心2dの磁化容易軸方向が導体コイル11中を流れる電流方向22またはそれと直角となるように磁気異方性が制御された磁性体よりなる上部磁心2u,下部磁心2dを有することを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

導体コイルと絶縁層を介した強磁性体とからなる薄膜磁気素子において、強磁性体の磁化容易軸方向が導体コイル中を流れる電流方向となるように磁気異方性が制御された磁性体を有することを特徴とする薄膜磁気素子。

IPC (3)：

H01F 17/00 ,  H01F 41/04 ,  H01F 41/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-221812