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J-GLOBAL ID：200903032565806291
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344555
Publication number (International publication number)：1993175144
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 MBE,MOCVD,MOVPE等の結晶成長技術によってIII-V族化合物半導体層あるいはII-VI族化合物半導体層とIV族元素半導体層を積層した構造を有する半導体装置およびその製造方法に関し、隣接する半導体層を構成する元素の相互拡散を抑制する。【構成】 GaAs,GaSb,ZnSe等のIII-V族化合物半導体層あるいはII-VI族化合物半導体層2,6とGe,Sn等のIV族元素半導体層4の界面に、これらの化合物半導体層2,6と元素半導体層4を構成する原子が相互拡散するのを抑制するためのSi等の原子拡散抑制層3,5を介挿し、この原子拡散抑制層によって、隣接する半導体層の結晶構造ならびに電気的性質を円滑に接続して半導体装置の特性を改善する。
Claim (excerpt)：
III-V族化合物半導体層あるいはII-VI族化合物半導体層とIV族元素半導体層の界面に、これらの化合物半導体層と元素半導体層を構成する原子が相互拡散するのを抑制するための原子拡散抑制層が介挿され、該原子拡散抑制層が両半導体層の結晶構造ならびに電気的性質を円滑に接続している構造を一つあるいはそれ以上含むことを特徴とするMBE,MOCVD,MOVPE等の結晶成長技術によって製造された半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
