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J-GLOBAL ID：200903032574060464

半導体装置の製造方法およびその装置

Inventor： 三宅 竜也 ,  ペテック ハルヴォエ
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997296661
Publication number (International publication number)：1999135498
Application date： Oct. 29, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】配線溝への金属原子埋め込みのアニール温度を低温化し、電気的機械的耐性に優れた微細金属配線形成方法を提供する。【解決手段】基板冷却や表面化学反応を利用して、埋め込み時の金属材料の表面拡散を制御する。

Claim (excerpt)：

半導体プロセスにおける金属配線形成等の手法において、試料基板を冷却することにより、銅もしくはアルミニウム,銀,金,白金,タングステン,タンタル,チタン等の金属原子やそれらの合金分子の拡散速度を抑制し、配線溝もしくは穴に金属を埋め込み、金属配線を低温,短時間で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。