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J-GLOBAL ID：200903032577936778

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 安田 美香子
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993173908
Publication number (International publication number)：1995030193
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 室温下で電流ブロック層を形成することにより、優れた特性を有する半導体レーザ装置を容易に得ることを目的とする。【構成】 室温下においてMBE(分子線エピタキシ)法により、リッジ部5を埋め込むようにpo1y-ZnSを形成して、電流ブロック層10を得る。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に配置された活性層と、該活性層上に配置された、その上部がレーザ共振器長方向に伸びるリッジストライプ形状に成形された上クラッド層と、該リッジストライプを埋め込むように配置された多結晶の半絶縁性材料からなる電流ブロック層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。