データ記憶方法および情報処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000025179
Publication number (International publication number)：2000305862
Application date： Feb. 02, 2000
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】フラッシュメモリのデータを書き換える際の信頼性を向上させること。フラッシュメモリの消去回数を削減することにより、劣化を低減する。【解決手段】フラッシュメモリ101と、フラッシュメモリ101の消去単位のデータを記憶する消去ブロックバッファ103を有する不揮発性メモリ102と、フラッシュメモリへの書き込み要求データを消去ブロックバッファ103に書き込む書き込み制御手段111と、フラッシュメモリ内の不変データを消去ブロックバッファに待避させる待避手段112と、フラッシュメモリのデータ消去を指示する消去命令手段301と、消去ブロックバッファのデータをフラッシュメモリ101に書き込む書き込み手段とを備える。

Claim (excerpt)：

あらかじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消去単位領域内の不変データの双方を記憶する不揮発性の消去ブロックバッファとを用いて前記メモリ内のデータの書き換えを行なうデータ記憶方法であって、前記メモリの第1の消去単位領域に第1の書き込みデータを書き込むことを要求する第1の書き込み要求に対し、前記第1の書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書き込む第1の消去ブロックバッファ書き込みステップと、前記メモリの第1の消去単位領域に第1の書き込みデータを書き込むことを要求する第1の書き込み要求に対し、前記第1の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッファに書き込む第2の消去ブロックバッファ書き込みステップと、前記第2の消去ブロックバッファ書き込みステップの後、前記第1の消去単位領域のデータを消去する消去ステップと、前記第1の消去ブロックバッファ書き込みステップ及び前記消去ステップの後、前記消去ブロックバッファに記憶された前記第1の書き込みデータ及び前記不変データを前記第1の消去単位領域に書き込むメモリ書き込みステップとを有することを特徴とするデータ記憶方法。

IPC (2)：

G06F 12/16 340 , G11C 16/02

FI (2)：

G06F 12/16 340 P , G11C 17/00 601 T

F-Term (10)：

5B018GA04 , 5B018HA23 , 5B018KA03 , 5B018LA02 , 5B018NA06 , 5B018QA15 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AE08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

不揮発性メモリファイルシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-337522 Applicant：三菱電機株式会社

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