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J-GLOBAL ID：200903032596020075

分子線エピタキシヤル成長方法

Inventor： 福島 淳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991225740
Publication number (International publication number)：1993058795
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Mar. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】MBE法によるアンドープAlX Ga1-X Sb結晶を低濃度化する。【構成】MBE法によりn+ -GaSb基板上にn+ -GaSbを成長し、次にアンドープAlX Ga1-X SbとアンドープGaSb結晶を交互に積層した多層構造をエピタキシャル成長する。キャリア濃度の高いアンドープAlX Ga1-X Sbと低いアンドープGaSbを多層構造にすることにより、実効的にキャリア濃度の低減が図れる。

Claim (excerpt)：

超高真空中で加熱蒸発した原子または分子のビームが基板上でエピタキシャル成長する分子線エピタキシャル成長方法に於て、アンドープGaSb層とアンドープAlX Ga1-X Sb層を交互にエピタキシャル成長して多層構造を形成することを特徴とする分子線エピタキシャル成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/10