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J-GLOBAL ID：200903032598403460

シリコンの冷却方法

Inventor： 岩崎 俊夫 ,  芳賀 博世
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991191123
Publication number (International publication number)：1993017292
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、FZシリコン中の集合欠陥を低減し、素子劣化を低減する冷却方法を提供することである。また、本発明は、LSI製造工程中の熱処理による欠陥の発生を防止あるいは低減せんとするものである。【構成】 上記諸目的は、FZ法で製造した単結晶シリコン結晶を、600°C以上に加熱した後、600〜100°Cの温度域を15°C/s以下の冷却速度で徐冷することを特徴とするシリコンの冷却方法により達成される。

Claim (excerpt)：

FZ法で製造した単結晶シリコン結晶を、600°C以上に加熱した後、600〜100°Cの温度域を15°C/s以下の冷却速度で徐冷することを特徴とするシリコンの冷却方法。