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J-GLOBAL ID:200903032603205922
半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995239858
Publication number (International publication number):1997082687
Application date: Sep. 19, 1995
Publication date: Mar. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 所望のパターンを良好に形成するとともに、歩留りの高い半導体装置を得ることができ、かつ、工程数を削減し生産コストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Cl2 /NF3 =40/20sccm、圧力1.2mTorrの条件にて、チタンシリサイド膜3とポリシリコン膜2の一部とを異方性エッチングする。引続き、Cl2 とO2 との混合ガスにより、ポリシリコン膜2を異方性エッチングする。NF3 が完全に解離する。N原子がパターン側壁の強固な保護膜となるので、サイドエッチングが発生せず、良好なパターン形状を得ることができる。同一装置内で各膜をエッチングするので、工程を削減することができ、生産コストの低減を図ることができる。さらに、異物の発生を低減することができ、歩留りの高い半導体装置を得ることができる。
Claim (excerpt):
導電膜および/または絶縁膜を含む多層膜をエッチングする半導体装置の製造方法であって、真空度0.1〜5.0mTorrおよび電子密度1010/cm3 以上の条件下において、Cl2 とNF3 とを含む混合ガスを用い、前記混合ガスは、総流量に対するNF3 の流量の比が70%以下である、半導体装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/28
, H01L 21/3213
, H01L 29/78
FI (7):
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
, H01L 21/28 F
, H01L 21/302 A
, H01L 21/302 C
, H01L 21/88 D
, H01L 29/78 301 F
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