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J-GLOBAL ID：200903032623053010
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992327906
Publication number (International publication number)：1994196649
Application date： Dec. 08, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体記憶装置のスタックトキャパシタ形成工程において、電極形状加工に用いるシリコン酸化膜を選択的に除去する。【構成】 シリンダ型スタックトキャパシタ形成工程において、層間絶縁膜2の上部には不純物の添加されていないCVDシリコン酸化膜3を堆積する。さらに、容量絶縁膜形成前に除去すべき形状加工用シリコン酸化膜6には不純物の添加された酸化膜を適用する。この後気相HF処理を施す。この処理により、不純物が添加されたシリコン酸化膜6のみが選択的にエッチングされる。
Claim (excerpt)：
半導体記憶装置のスタックトキャパシタ形成工程において、電極形状加工に用いるシリコン酸化膜に不純物を添加し、気相HF処理により前記シリコン酸化膜を選択的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 27/108
, H01L 21/302
, H01L 27/04
Cited by examiner (7)
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