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J-GLOBAL ID：200903032623885016

半導体レーザ装置,及びその製造方法

Inventor： 大倉 裕二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210457
Publication number (International publication number)：1997064452
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ装置を構成する結晶内部のストレス及び結晶欠陥密度を低減できる信頼性の高い半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型のGaAs基板上101に順次形成された、GaAs基板101と格子整合し,活性層より大きいバンドギャップを有する第1導電型の第1下クラッド層112と、第1下クラッド層112より大きいバンドギャップを有する第1導電型のAlGaAs第2下クラッド層113と、活性層104と、第1上クラッド層より大きいバンドギャップを有する第2導電型のAlGaAs第2上クラッド層114と、GaAs基板101に格子整合し,かつ活性層104より大きいバンドギャップを有する第2導電型の第1上クラッド層117と、第2導電型のGaAsコンタクト層111とを備えたものである。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板と、該GaAs基板上に該GaAs基板と格子整合するよう形成された、あるバンドギャップを有する第1導電型の第1下クラッド層と、該第1下クラッド層上に形成された、該第1下クラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する第1導電型のAlGaAsからなる,第2下クラッド層と、該第2下クラッド層上に形成された、上記第1下クラッド層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する活性層と、該活性層上に形成された、あるバンドギャップを有する第2導電型のAlGaAsからなる第2上クラッド層と、該第2上クラッド層上に形成された、上記GaAs基板に格子整合し,かつ上記活性層のバンドギャップより大きく、上記第2上クラッド層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する,第2導電型の第1上クラッド層と、該第1上クラッド層上に形成された、第2導電型のGaAsコンタクト層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。