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J-GLOBAL ID：200903032632716324

結晶配向薄膜製造装置

Inventor： 福富 勝夫 ,  青木 茂樹 ,  小森 和範 ,  浅野 稔久 ,  田中 吉秋 ,  前田 弘
Applicant, Patent owner： 株式会社三ツ葉電機製作所 ,  科学技術庁金属材料技術研究所長
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993239512
Publication number (International publication number)：1995097293
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 イオンビームに劣らぬ優れた面内配向性を持った薄膜を基板片面ないしは両面に効率よく作製できる結晶配向薄膜装置を提供する。【構成】 スパッタリング装置において、基板を水平面に対し任意角θだけ傾けられる複数枚の基板ホルダー(2)を持つ基板電極(1)と、該基板電極(1)の下方にあって陰極性プラズマ空間を下方のターゲット(4)との間に形成しうる複数枚(n枚)の矩形電極からなる補助電極(3)とを、該ターゲット(4)と電気的に絶縁して組み込み、これらの基板電極(1)に印加されるバイアス電圧と補助電極(3)に印加されるバイアス電圧とによって陰極暗部と負グローとの境界であるプラズマ境界線(5)の断面が放物線形状の陰極性プラズマ空間を形成せしめ、基板表面に結晶配向成膜する結晶配向薄膜製造装置。

Claim (excerpt)：

スパッタリング装置において、基板を水平面に対し任意角θだけ傾けられる複数枚の基板ホルダーを持つ基板電極と、この該基板電極の下方で、ターゲットとの間に複数枚(n枚)の垂下電極板からなる補助電極とをターゲットと電気的に絶縁して組み込み、基板電極に印加するバイアス電圧と補助電極に印加するバイアス電圧とによって陰極性プラズマ空間を形成せしめ、基板表面に結晶配向成膜することを特徴とする結晶配向薄膜製造装置。

IPC (4)：

C30B 23/08 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/16