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J-GLOBAL ID：200903032645956987

半導体装置の製造方法および高融点金属ナイトライド膜の形成方法

Inventor： 井上 辰也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996282211
Publication number (International publication number)：1998125627
Application date： Oct. 24, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 緻密で低抵抗のTiN拡散障壁層を、Tiのリアクティブスパッタにより、高いスループットで形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Tiターゲットを使い、TiNが確実にスパッタされる第1の条件でTiN膜を堆積した後、同一のTiターゲットを使い、通常はTiがスパッタされる第2の条件において、TiNのスパッタを継続して行う。

Claim (excerpt)：

高融点金属ナイトライド膜をリアクティブスパッタにより形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記リアクティブスパッタ工程は、(A)高融点金属ターゲットを使い、基板上に高融点金属ナイトライド膜を、高融点金属ターゲットを使っても高融点金属ナイトライドのリアクティブスパッタが生じる第1のスパッタ条件でスパッタする第1の工程と、(B)前記工程(A)の後、前記高融点金属ターゲットを使い、前記高融点金属ナイトライド膜上に高融点金属ナイトライド膜を、高融点金属ターゲットを使った場合には高融点金属ナイトライドのリアクティブスパッタが生じない第2のスパッタ条件でスパッタする第2の工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (5)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-328464   Applicant：株式会社リコー
• 特開平2-028374