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J-GLOBAL ID：200903032647141344

レジストパターンの形成方法、光学素子の製造方法、基板の製造方法、光学素子、及び露光装置

Inventor：
小川 浩二

About 小川 浩二


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 細江 利昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003408426
Publication number (International publication number)：2005172877
Application date： Dec. 08, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：
【課題】 精度と歩留良く、レジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 グレースケールマスク3を通して光を、基板1上のレジスト2上に照射する(b)。このようにして露光されたレジスト2を現像すると、(c)に示すように、レジスト2にマイクロレンズアレイのパターンが形成される。上記の工程において、目標とするマイクロレンズの形状が得られるような露光量と現像時間を求め、現像時間を、目標とするマイクロレンズの形状が得られるような現像時間より少なくしておく。露光時間は、前記目標とするマイクロレンズの形状が得られるような露光時間としておく。よって、レジストパターンの曲率は、目標とするレジストパターンの曲率より小さくなっている。次に、前記レジストパターンの実際値と目標値との差に対応して定まる現像時間だけ、再現像を行うと、目標とするパターン形状に非常に近いレジスト形状が得られる(d)。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
グレースケールマスクのパターンをレジストに露光転写し、その後当該レジストを現像することにより、前記レジストに所定の形状を形成する方法であって、前記所定の形状を形成するのに必要な露光時間よりも短い時間で第1回目の露光を行って前記レジストを現像し、その結果得られた前記レジストの形状と、前記所定の形状との差に基づいて決定された時間だけ、第2回目の露光を前記レジストに対して行って、前記レジストを再び現像する工程を有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3)：
G03F7/20 ,  G02B5/18 ,  G03F7/26
FI (3)：
G03F7/20 501 ,  G02B5/18 ,  G03F7/26 511
F-Term (11)：
2H049AA03 ,  2H049AA07 ,  2H049AA37 ,  2H049AA48 ,  2H096AA28 ,  2H096BA05 ,  2H096EA02 ,  2H096EA30 ,  2H096HA30 ,  2H097GA45 ,  2H097LA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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