グラファイト層間化合物及びその製造方法及び電気配線及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994025801
Publication number (International publication number)：1995238000
Application date： Feb. 24, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】本発明は基板上にグラファイトの単原子層を形成する工程と;このグラファイトの単原子層上に遷移金属の単原子層を積層する工程とを繰り返すことにより得られる、グラファイトの単原子層が遷移金属の単原子層を介して積層されたことを特徴とするグラファイト層間化合物である。【効果】室温,大気中で安定であり、高い電気伝導度を示す。

Claim (excerpt)：

グラファイト層間に遷移金属層が挿入されたことを特徴とするグラファイト層間化合物。

IPC (3)：

C30B 29/68 , C01B 31/04 101 , C04B 35/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

黒鉛構造炭素又はその層間化合物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-030702 Applicant：シヤープ株式会社
特開昭61-219707
特開昭62-087407

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