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J-GLOBAL ID：200903032664486533

プラズマCVD方法

Inventor： 林 専一 ,  鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995195197
Publication number (International publication number)：1997041147
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 膜質が向上し、高性能で高速な成膜が可能なプラズマCVD方法を提供する。【解決手段】 排気手段によりプラズマ発生室内及び該プラズマ発生室と連通した成膜室内を減圧させ、希ガスと希ガス以外のガスを該プラズマで発生室又は成膜室に供給し、該プラズマ発生室内に電気エネルギーを供給し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基体表面に薄膜を堆積させるプラズマCVD法であって、該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガスの流量を5倍以上にすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

排気手段によりプラズマ発生室内及び該プラズマ発生室と連通した成膜室内を減圧させ、希ガスと希ガス以外のガスを該プラズマ発生室又は成膜室に供給し、該プラズマ発生室内に電気エネルギーを供給し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基体表面に薄膜を堆積させるプラズマCVD方法であって、該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガスの流量を5倍以上にすることを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (8)：

C23C 16/50 ,  C08L101/00 LSY ,  G11B 11/10 541 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46

FI (8)：

C23C 16/50 ,  C08L101/00 LSY ,  G11B 11/10 541 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H05H 1/46 B