3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996199826
Publication number (International publication number)：1998027923
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】発光素子において広い波長範囲での発光効率の高い発光を可能とすること。【解決手段】発光層5はFeとSiとが添加されたGaN で形成されている。そして、発光層5は両側からn-Al0.08Ga0.92N のクラッド層4と、Mgドープのp-Al0.08Ga0.92N から成るクラッド層71で挟まれている。発光層に遷移金属を添加した結果、発光層に結晶性の高いGaN を用いて、GaN の禁制帯幅に相当した波長よりも十分に長い波長の発光を得ることができる。長い波長が得られる結果、発光層5に結晶性の高いInの結晶比の低い3族窒化物半導体を用いることができる結果、発光効率を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体から成る発光層を有する発光素子において、前記発光層に遷移金属を添加したことを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-113484 Applicant：豊田合成株式会社
特開平2-157197
特開昭57-049286

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