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J-GLOBAL ID：200903032678926960

マイクロデバイスの流体制御方法及びマイクロデバイス

Inventor：
高橋 一憲

About 高橋 一憲


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007256757
Publication number (International publication number)：2009082831
Application date： Sep. 28, 2007
Publication date： Apr. 23, 2009
Summary：
【課題】磁気障壁通路又は反磁気障壁流路に沿って流す流体の流体制御を簡単な構成で高精度に行うことができる。【解決手段】基板12に配設された細線状の磁性体材料22に対して外部磁場を印加することにより磁性体材料22に沿った磁気障壁通路を形成し、該磁気障壁通路に沿って磁性流体A,Bを流通させる。この流通において、磁性体材料22の途中を断線させる断線工程と、断線した通路断線部34を通路断片36で結線させる結線工程と、により、磁気障壁通路に沿って流れる磁性流体A,Bの流通を制御する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板に配設された細線状の磁性体材料に対して外部磁場を印加することにより前記磁性体材料に沿った磁気障壁通路を形成し、該磁気障壁通路に沿って磁性流体を流通させるマイクロデバイスの流体制御方法において、 前記磁性体材料の途中を断線させる断線工程と、 前記断線した通路断線部を結線させる結線工程と、により、前記磁気障壁通路に沿って流れる磁性流体の流通を制御することを特徴とするマイクロデバイスの流体制御方法。
IPC (2)：
B01J 19/00 ,  B81B 3/00
FI (2)：
B01J19/00 321 ,  B81B3/00
F-Term (24)：
3C081BA23 ,  3C081BA32 ,  3C081BA50 ,  3C081BA54 ,  3C081DA01 ,  3C081DA05 ,  3C081DA10 ,  3C081EA31 ,  4G075AA13 ,  4G075AA39 ,  4G075AA61 ,  4G075BB05 ,  4G075BD15 ,  4G075CA42 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075ED13 ,  4G075EE07 ,  4G075FA12 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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