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J-GLOBAL ID：200903032690156150

半導体装置

Inventor： 平野 尚彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079820
Publication number (International publication number)：1994291247
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、複数の半導体チップの電源/グランド導体が共有化されているマルチチップモジュールにおいて、チップ間を伝搬するノイズを低減し、ノイズ・マージンの劣化を防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、複数の半導体チップ18が共通に接続される、多層基板内のグランド層12および電源層14のそれぞれを、高抵抗導体12a,14aと低抵抗導体12b,14bとの、導電率の異なる2種類の導体により構成する。そして、その高抵抗導体12a,14aを、それぞれの層12,14の半導体チップ18間に配置することにより、誘導電流を遮断することなく、ノイズの直接的な伝搬を防止する構成となっている。

Claim (excerpt)：

複数の半導体素子と、これら複数の半導体素子が共通に接続されるとともに、各素子間において高抵抗部を有してなる電源系導体とを具備したことを特徴とする半導体装置。