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J-GLOBAL ID：200903032691505647

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 津田 邦男 ,  森塚 宏平 ,  野津 哲郎 ,  本郷 禎人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996248051
Publication number (International publication number)：1998098052
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 エミッタ抵抗の低いInGaP/GaAsHBTを提供する。【解決手段】 InGaPからなるエミッタ層5と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>As(0<y1≦1.0)からなるエミッタコンタクト層9と、該エミッタ層に隣接するように設けられ該エミッタ層に接する一端から他端に向かって実質的にバンドキャップが狭くなるように組成が変化するInGaP組成傾斜層6とを備える。

Claim (excerpt)：

InGaPからなるエミッタ層と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>As(0<y1≦1.0)からなるエミッタコンタクト層と、該エミッタ層に隣接するように設けられ該エミッタ層に接する一端から他端に向かって実質的にバンドキャップが狭くなるように組成が変化するInGaP組成傾斜層とを備えたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205