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J-GLOBAL ID：200903032694299614

真空浸炭処理方法

Inventor： 和歌 正臣 ,  門野 徹 ,  原井 哲 ,  岡田 徹也 ,  今井 直明
Applicant, Patent owner： 株式会社不二越
Agent (1)： 河内 潤二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999048636
Publication number (International publication number)：1999315363
Application date： Feb. 25, 1999
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 真空浸炭処理方法において、炉内に装荷されたワーク全体の表面に均一に浸炭層を形成し、真空浸炭に必要な排気ポンプの容量を小さくし、設備コストを低減し、かつ炉内の煤の発生を抑え、設備のメンテナンス性を改善し、さらには原料ガスのコストを低減する。【解決手段】 真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ1〜10kPaの圧力下で浸炭処理を行う。

Claim (excerpt)：

真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ1〜10kPaの圧力下で浸炭処理を行うことを特徴とする真空浸炭方法。