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J-GLOBAL ID：200903032702917276
歪量子井戸半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991329517
Publication number (International publication number)：1993145178
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 作製が容易で高温特性に優れた歪量子井戸半導体レーザ素子を提供する。【構成】 量子井戸層と障壁層とが交互に積層されて成る量子井戸活性層5が、半導体基板2上に設けられた歪量子井戸半導体レーザ素子1において、量子井戸層が引っ張り歪み構造で形成され、且つ障壁層が圧縮歪み構造で形成さていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
量子井戸層と障壁層とが交互に積層されて成る量子井戸活性層が、半導体基板上に設けられた歪量子井戸半導体レーザ素子において、前記量子井戸層が引っ張り歪み構造で形成され、且つ前記障壁層が圧縮歪み構造で形成されていることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
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