Pat
J-GLOBAL ID:200903032704161349
高分子担持金属クラスター組成物
Inventor:
,
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,
,
Applicant, Patent owner:
,
,
,
Agent (2):
下田 昭
, 赤尾 謙一郎
Gazette classification:再公表公報
Application number (International application number):JP2005003848
Publication number (International publication number):WO2005085307
Application date: Mar. 07, 2005
Publication date: Sep. 15, 2005
Summary:
【課題】 本発明は、各種反応の触媒等として有用であり、且つ使用後の回収・再使用が容易である、遷移金属を微小のクラスターとして高分子に担持させて得られる組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】 遷移金属を架橋高分子に担持させてなる高分子担持金属クラスター組成物であって、該架橋高分子がその側鎖に疎水性側鎖基及び架橋性官能基を有する親水性側鎖を有する架橋性高分子を架橋させてなることを特徴とする高分子担持クラスター組成物である。この高分子担持金属クラスター組成物は、例えば、適当な溶液中で該架橋性高分子に該金属のクラスターを担持したミセルを形成した後、該架橋性高分子を架橋反応に付すことによって形成されることが好ましい。水素化反応、脱水素反応、アリル位置換反応、酸化反応、カップリング反応又はカルボニル化反応のための触媒等として有用である。 【選択図】 なし
Claim (excerpt):
遷移金属を架橋高分子に担持させてなる高分子担持金属クラスター組成物であって、該架橋高分子が疎水性側鎖及び架橋性官能基を有する親水性側鎖を有する架橋性高分子を架橋させてなることを特徴とする高分子担持金属クラスター組成物。
IPC (10):
C08L 101/02
, C08K 3/08
, C08F 212/08
, C07C 45/68
, C07C 49/796
, C07C 67/31
, C07C 67/347
, C07C 69/618
, C07C 69/732
, B01J 31/28
FI (10):
C08L101/02
, C08K3/08
, C08F212/08
, C07C45/68
, C07C49/796
, C07C67/31
, C07C67/347
, C07C69/618
, C07C69/732 Z
, B01J31/28 Z
F-Term (63):
4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169AA12
, 4G169BA02B
, 4G169BA22A
, 4G169BA22B
, 4G169BA28A
, 4G169BA28B
, 4G169BC29A
, 4G169BC33A
, 4G169BC33B
, 4G169BC67A
, 4G169BC68A
, 4G169BC68B
, 4G169BC70A
, 4G169BC71A
, 4G169BC72A
, 4G169BC72B
, 4G169BC74A
, 4G169BC74B
, 4G169BC75A
, 4G169BC75B
, 4G169BE10B
, 4G169BE37B
, 4G169CB02
, 4G169CB07
, 4G169CB72
, 4G169EB18X
, 4G169EB18Y
, 4H006AA02
, 4H006AC44
, 4H006AC48
, 4H006AC81
, 4H006BA22
, 4H006BA25
, 4H006BA32
, 4H006BA81
, 4H006BA85
, 4H006BR30
, 4H006KA31
, 4H039CA22
, 4H039CA30
, 4H039CA60
, 4H039CB20
, 4H039CD10
, 4H039CD20
, 4J002BC041
, 4J002BC071
, 4J002DA076
, 4J002DA086
, 4J002DA116
, 4J002GT00
, 4J100AB02P
, 4J100AE32Q
, 4J100AE32R
, 4J100BA03R
, 4J100BC43Q
, 4J100BC43R
, 4J100BC54Q
, 4J100CA05
, 4J100CA23
, 4J100FA19
, 4J100JA00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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パラジウム触媒組成物
Gazette classification:再公表公報
Application number:JP2003011131
Applicant:独立行政法人科学技術振興機構
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