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J-GLOBAL ID：200903032707731758

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： 中山 一郎 ,  奥村 智洋
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994199526
Publication number (International publication number)：1996064395
Application date： Aug. 24, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 比較的高真空において高密度プラズマを発生することができ、かつプラズマ密度分布の均一なプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。【構成】 真空容器1の壁面1aに沿わせて配設したコイル5の一端5aを接地し、このコイル5の一端5aと他端5cとの間の中間位置5bにコイル用高周波電源6にて高周波電圧を印加し、高周波印加部から接地部の間では主に誘導結合型プラズマを、高周波印加部から他端までは容量結合型プラズマを発生させ、誘導結合と容量結合の複合したプラズマを生成してプラズマ密度分布の均一性を向上する。

Claim (excerpt)：

真空容器内に配設した電極上に基板を載置し、真空容器内に適当なガスを導入しつつ排気を行って真空容器内を適当な圧力に保ち、電極に対向する真空容器の壁面に沿わせて配設されたコイルの一端を接地するとともにコイルの一端と他端との間の位置に高周波電圧を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-235332
  
• 特公昭64-005760
  
• 特開昭57-007099