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J-GLOBAL ID：200903032717481814

光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザ

Inventor： 山田 光志 ,  国井 達夫
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048088
Publication number (International publication number)：1996248364
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大きな伝送容量が得られ、光通信の長距離化、及び大容量化を図る。【構成】 光吸収層4は、バルク材料で形成され、かつそのバンドギャップエネルギーEg0と入射光(被変調光)PinのフォトンエネルギーEinの差(エネルギーディチューニングΔE)が、電圧印加によって生じる吸収が増加し、かつ屈折率が減少するような範囲に入るように選ばれる。さらに、電圧無印加時での光の吸収をできるだけ小さく抑え、かつ所望の消光効率が得られるように、光吸収層4の厚さda 及び長さLが設定される。電圧を印加すると、光吸収層4に電界がかかり、その電界によって入射光Pinの吸収係数が変化する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、i型光吸収層の両側にp型層とn型層が設けられたp-i-n構造に電圧を印加すると、該i型光吸収層に電界がかかり、その電界によって入射光の吸収係数が変化する光強度変調素子において、前記光吸収層をバルク材料で形成し、かつ波長ディチューニングΔλを20nm≦Δλ≦60nm、あるいはエネルギーディチューニングΔEを10.5meV≦ΔE≦32.2meVに設定したことを特徴とする光強度変調素子。

IPC (3)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/12 ,  H01S 3/18

FI (3)：

G02F 1/025 ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 J