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J-GLOBAL ID：200903032722668868

ドライエッチング方法

Inventor： 於久 泰三 ,  青木 淳一
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社 ,  キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994302516
Publication number (International publication number)：1996162441
Application date： Dec. 06, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、エッチング加工面の粗さが小さく、かつ、ピットの発生を低減可能なドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 化合物半導体材料のドライエッチング方法において、該化合物半導体材料がGa系の窒化物からなる薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガスを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがCl2,SiCl4,BCl3のうち少なくとも1つの材料からなることを特徴とする。また、前記酸素ガスの流量が、0.25〜0.45sccmであることを特徴とする。さらに、前記酸素ガスの流量が、0.5〜0.35sccmであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体材料のドライエッチング方法において、該化合物半導体材料がGa系の窒化物からなる薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガスを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがCl2,SiCl4,BCl3のうち少なくとも1つの材料からなることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平2-297931
  
• 特開平4-034929
  
• 特開平2-297931
  
• 特開平4-034929
  

Cited by examiner (4)

• 特開平2-297931
  
• 特開平2-297931
  
• 特開平4-034929
  
• 特開平4-034929