Pat

J-GLOBAL ID：200903032736835341

オーム性電極

Inventor： 浅井 周二
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190466
Publication number (International publication number)：1993036973
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】化合物半導体装置におけるオーム性電極の耐熱性や信頼性を向上させる。【構成】導電層2と電極配線3との界面の導電層2の表面に不純物をイオン注入して欠陥領域3を形成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性半導体基板の一主面に設けた導電層と、前記導電層の表面に設けた欠陥領域と、前記欠陥領域の表面に接触して設けた金属電極とを有することを特徴とするオーム性電極。

IPC (3)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301