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J-GLOBAL ID：200903032755006577

金属酸化物薄膜の形成方法

Inventor： 嶋田 恭博 ,  藤井 英治 ,  上本 康裕 ,  那須 徹 ,  松田 明浩
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992311576
Publication number (International publication number)：1994157033
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 03, 1994
Summary：

【要約】【目的】 金属酸化物薄膜の形成方法において、塗布工程で金属アルコキシドを含有する溶液が安定であり、かつ欠陥のない均一な膜を形成する。【構成】 支持基板1の上に金属アルコキシドと溶剤からなる溶液を塗布する工程と、支持基板1を水蒸気を含有する雰囲気4aに曝す工程と、その後支持基板1を加熱処理して金属酸化物薄膜となす工程とを有する。

Claim (excerpt)：

支持基板上に金属アルコキシドと溶剤からなる溶液を塗布する工程と、前記支持基板を水蒸気を含有する雰囲気に曝す工程と、その後前記支持基板を加熱処理する工程とを有する金属酸化物薄膜の形成方法。

IPC (5)：

C01G 1/00 ,  C01G 23/00 ,  C23C 18/12 ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10