Pat

J-GLOBAL ID：200903032760177045

マイクロ波半導体増幅器

Inventor： 豊嶋 元 ,  清野 清春 ,  池田 幸夫 ,  高木 直
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007485
Publication number (International publication number)：1993199047
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 複数個の高調波成分を抑圧し漏洩が少なく、小形化したマイクロ波半導体増幅器を得ることを目的としている。【構成】 電界効果トランジスタ1を用いたマイクロ波半導体増幅器において、複数個の高調波に対してそれぞれ約1/4波長の長さを有する先端開放線路10,11を並列接続してなる高調波抑圧回路を基本波に対するインピ-ダンス素子として用いることにより、且つ上記並列回路をスリットを設けたマイクロストリップ線路により構成することにより、高調波の漏洩が少なく、大きな基本波出力を得る、小型のマイクロ波半導体増幅器を得ることができる。

Claim (excerpt)：

入力整合回路と電界効果トランジスタなどの半導体素子と出力整合回路を備えたマイクロ波半導体増幅器において、出力整合回路に複数個の高調波に対してそれぞれ約4分の1波長の長さを有する先端開放線路を並列接続して成る高調波抑圧回路を設け、基本波に対するインピ-ダンス整合素子として用いることを特徴とするマイクロ波半導体増幅器。

IPC (3)：

H03F 3/60 ,  H03F 1/56 ,  H03F 3/193

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-061411
  
• 特開昭62-061411
  
• 特開昭58-018592
  
• 特開平1-284001
  
• 特開平1-284001