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J-GLOBAL ID：200903032760796780

タンデム型太陽電池およびその製造方法

Inventor： 長島 知理 ,  加地 徹 ,  冨田 一義
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000238885
Publication number (International publication number)：2002050781
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 上部セルと下部セルとの界面における抵抗損失を低減したタンデム型太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体から成る上部セルと、IV族半導体から成る下部セルとが、III-V族化合物半導体またはIV族半導体から成るバッファ層を介して積層されて成るタンデム型太陽電池であって、該バッファ層内に、結晶格子欠陥濃度を他の領域よりも高めた欠陥領域を設けた。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体から成る上部セルと、IV族半導体から成る下部セルとが、III-V族化合物半導体またはIV族半導体から成るバッファ層を介して積層されて成るタンデム型太陽電池であって、該バッファ層内に、結晶格子欠陥濃度を他の領域よりも高めた欠陥領域を設けたことを特徴とするタンデム型太陽電池。

FI (3)：

H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 X

F-Term (8)：

5F051AA01 ,  5F051AA08 ,  5F051AA16 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051GA04