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J-GLOBAL ID：200903032763519133

導体の形成方法

Inventor： 鎌田 策雄
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991332655
Publication number (International publication number)：1993144552
Application date： Nov. 21, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板上に形成された絶縁層と導体層との間の熱膨張差を少なくすることにより、導体パターンの剥離を防止する。【構成】 溶射により基板1の上に発熱体としての導体4を形成する方法において、前記基板1に絶縁層2を溶射した後、この絶縁層2の上に、導体材料と絶縁材料から成る混合層3を溶射し、更に該混合層3の上に導体層4を溶射してなる。

Claim (excerpt)：

溶射により基板上に導体を形成する方法において、前記基板に絶縁層を溶射した後、該絶縁層の上に、導体材料と絶縁材料から成る混合層を溶射し、更に該混合層の上に導体層を溶射してなることを特徴とする導体の形成方法。

IPC (5)：

H05B 3/16 ,  H01C 17/10 ,  H05B 3/20 317 ,  H05B 3/20 328 ,  H05B 3/20 330