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J-GLOBAL ID：200903032769532875

ヘテロ接合電界効果トランジスタ

Inventor： 中野 晴夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991354997
Publication number (International publication number)：1993175246
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 チャネル層を擬量子細線化することにより、キャリア移動度を高めたヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【構成】 チャネル層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、チャネル層(GaAs層)3より禁止帯幅が狭い格子状の半導体層(InAs層)7を、キャリアの基底状態での存在確率が最大であり第1励起状態での存在確率が零であるようなチャネル層内の位置近傍に挿入する。半導体層(InAs層)7の並設方向におけるキャリア移動度が大きい。

Claim (excerpt)：

チャネル層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層より禁止帯幅が狭い格子状の半導体層を、キャリアの存在確率が基底状態では高く第1励起状態では低いような前記チャネル層内の位置に設けてあることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/804

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-017648
  
• 特開平3-062528
  
• 細線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-323927   Applicant：三菱電機株式会社