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J-GLOBAL ID：200903032769656922
絶縁ゲート制御半導体装置とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993209793
Publication number (International publication number)：1995066395
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】埋め込み形絶縁ゲートを備える電界効果トランジスタや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ等の絶縁ゲート制御半導体装置の耐圧を向上しかつそのオン電圧を低減する。【構成】半導体基体10の表面側のn形の半導体領域12の表面の所定範囲からp形のウエル20を周縁部に深い拡散部分21,その内側の一部に浅い拡散部分22をそれぞれ形成するように作り込み、このウエル20の浅い拡散部分22の付近の表面から溝30を下側の半導体領域12に達するまで掘り込んでその中に絶縁ゲート40を埋め込み、かつ溝30に接するウエル20の表面にn形のソース層50を浅く拡散した上で、ウエル20とソース層50から一方の主端子Sを,半導体基体10の裏面側から他方の主端子Dを,絶縁ゲート40から制御端子Gをそれぞれ導出して絶縁ゲート制御半導体装置とする。
Claim (excerpt)：
半導体基体の表面側の一方の導電形の半導体領域の表面の所定範囲から周縁部が内側部分より深い拡散部分を形成するように拡散された他方の導電形のウエルと、深い拡散部分の内側のウエルの表面から下側の半導体領域に達するまで掘り込まれた溝と、溝内に埋め込まれた絶縁ゲートと、ウエルの表面から溝に接して拡散された一方の導電形のソース層とを備え、ウエルとソース層から一方の主端子を, 半導体基体の裏面側から他方の主端子を, 絶縁ゲートから制御端子をそれぞれ導出してなる絶縁ゲート制御半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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