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J-GLOBAL ID：200903032776024702

メモリ効果検出方法及び装置、充電方法及び装置並びに携帯型ファクシミリ装置

Inventor： 山脇 穣 ,  寺尾 健司
Applicant, Patent owner： 松下電送株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993153236
Publication number (International publication number)：1995014613
Application date： Jun. 24, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ニッケルカドミウム電池等の二次電池のメモリ効果検出方法及び充電方法を改良する。【構成】 電池を完全充電し(ST1)、テスト負荷を瞬時接続して電池電圧Vを測定し(ST2,ST3)、リフレッシュ後電圧RVとVとの差(RV-V)をメモリ効果判定電圧と比較する(ST4)。(RV-V)≧メモリ効果判定電圧のとき、メモリ効果が発生していると判定する。この場合、電池のリフレッシュ放電(ST5)と完全充電(ST6)を行ない、テスト負荷を瞬時接続して電池電圧を測定し(ST7)、この電池電圧を改めてリフレッシュ後電圧RVとして記憶する。

Claim (excerpt)：

二次電池の完全充電を行なうステップ1と、該ステップ1に続いて所定の短時間だけ前記二次電池の所定の大電流放電を行ない、その時の電池電圧(V)を測定するステップ2と、前記二次電池に関する基準の電池電圧(RV)と、前記ステップ2で測定した電池電圧(V)との差分(RV-V)を所定の判定電圧と比較することによって、前記二次電池のメモリ効果の発生の有無を判定するステップ3とからなる二次電池のメモリ効果検出方法。

IPC (2)：

H01M 10/44 ,  H04N 1/00 106