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J-GLOBAL ID：200903032776389875

半導体超微粒子の製造方法および非線形光学材料

Inventor： 八尾 浩史 ,  高原 茂 ,  水間 浩一 ,  林 豊治
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144492
Publication number (International publication number)：1995002912
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Jan. 06, 1995
Summary：

【要約】【構成】 半導体超微粒子が生成する溶液中に不飽和結合を有する単量体を原料化合物と共に共存させ、特定波長の光を照射しながら、超微粒子生成のための試薬を断続的に供給して生成・成長反応を行い、成長してきた粒子径に対応する光吸収波長が照射光波長に一致したところで、微粒子表面で光重合反応が起こり、ポリマーで被覆安定化せしめる。【効果】 高性能な光電子デバイスシステムを構築する上で有用な材料の一つである非線形光学材料として、粒子径や粒子径分布が制御され、安定化された半導体超微粒子、及びそれを媒体中に分散した材料を提供される。

Claim (excerpt)：

溶液中に、不飽和結合を有する単量体及び製造されるべき半導体の原料を共存させ、その原料に反応しうる試薬を断続的に供給しながら光照射して粒子径を制御し安定化することを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。

IPC (7)：

C08F 2/44 MCQ ,  B01J 10/00 ,  B01J 19/12 ,  C08F 2/48 MDH ,  G02F 1/35 503 ,  G02F 1/35 504 ,  H01L 21/365