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J-GLOBAL ID：200903032778672736

薄膜形成法及びその装置

Inventor： 平松 健司 ,  大西 寛 ,  高浜 亨
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030608
Publication number (International publication number)：1995240379
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 残留ガスや残留水分を低減し、かつ蒸気圧の低い反応ガスの分圧の時間変化を適正に設定することができ、不純物の少ない高品質の薄膜を形成することができる薄膜形成法とその装置を提供する。【構成】 反応室内に薄膜の材料となる反応ガスをパルス的に供給し、反応室内に設置された電極間にパルス状の放電電圧を印加してプラズマを生成し前記反応ガスを分解すると共に、前記反応室内に設置された基板上で化学反応を起こさせ該基板に堆積させる薄膜形成法において、前記反応ガスの1つとして蒸気圧の低いガスを用い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時の当該ガスの分圧の1/5以下になるように、当該ガスを捕捉しつつ成膜を行なう。

Claim (excerpt)：

反応室内に薄膜の材料となる反応ガスをパルス的に供給し、前記反応室内に設置された電極間にパルス状の放電電圧を印加してプラズマを生成し前記反応ガスを分解すると共に、前記反応室内に設置された基板上で化学反応を起こさせ該基板に堆積させる薄膜形成法において、前記反応ガスの1つとして蒸気圧の低いガスを用い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時における当該ガスの分圧の1/5以下になるようにして、当該ガスを捕捉しつつ成膜を行なうことを特徴とする薄膜形成法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31