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J-GLOBAL ID：200903032782672716

CVD装置用原料ガス供給機構

Inventor： 山口 太一 ,  青木 伸哉 ,  香川 昭 ,  河野 宰 ,  佐治 明 ,  黒田 昇 ,  吉田 弘
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ ,  中部電力株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219160
Publication number (International publication number)：1993039576
Application date： Aug. 05, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【構成】 CVD装置に用いられる原料ガス供給機構において、原料化合物を気化させた原料ガスを反応チャンバ内に供給する主管路12、該主管路に並列接続されたバイパス管路13、バイパス管路内を流れるガス中から原料化合物を冷却捕集するトラップ部14、主管路からバイパス管路へのガスの導入、停止を切り替える弁15,16とを備えた構成とした。【効果】 簡単な構成なので管路内を流れるガスの温度を均一に保ち易い。また複雑に曲がったり細く絞り込まれたりする部分を無くすことができ、気化温度領域が狭く取り扱い難い原料化合物の気化ガスであっても、原料ガス供給途中に固化、析出を生じる事無く防止できるので、特に有効である。また反応システムにおける圧力変動がわずかで済み、成膜中、頻繁に原料ガスの供給/停止を繰り返す超格子の生成やマルチレイヤー合成の際にも有効である。

Claim (excerpt)：

酸化物超電導体の構成元素の化合物などの原料化合物を加熱気化させた原料ガスを反応チャンバ内に供給し、化学気相蒸着により該チャンバ内に配置された基材上に酸化物超電導体などの反応生成物を成膜するCVD装置に用いられる原料ガス供給機構において、前記原料化合物を気化させた原料ガスを反応チャンバ内に供給する主管路と、該主管路に並列接続されたバイパス管路と、該バイパス管路の途中に介在され、バイパス管路内を流れる原料ガスを含むガス中から原料化合物を冷却捕集するトラップ部と、該バイパス管路の両端の該主管路への接続部に設けられ、主管路からバイパス管路へのガスの導入、停止を切り替える弁とを具備したことを特徴とするCVD装置用原料ガス供給機構。

IPC (5)：

C23C 16/44 ,  C01B 13/14 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA