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J-GLOBAL ID:200903032787203749

固体撮像素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993083344
Publication number (International publication number):1994296009
Application date: Apr. 09, 1993
Publication date: Oct. 21, 1994
Summary:
【要約】【目的】 受光領域の光の入射効率を高くして受光感度を向上する。【構成】 シリコン基板30の受光領域には、複数の分離領域31が互いに平行に形成され、これを取り囲む周辺領域に同様に分離領域32が形成される。各分離領域31の間は、情報電荷の転送経路となるチャネル領域33を構成する。このチャネル領域33と交差する方向に受光領域を横切って複数の転送電極35が配置され、さらに転送電極35の間隙を覆うようにして2層目の転送電極36が配置される。各転送電極35、36は、受光領域で周辺領域より膜厚が薄く形成され、チャネル領域33への光の入射効率が向上されている。
Claim (excerpt):
半導体基板に入射した光に応答して発生する情報電荷を、その半導体基板上に配列された複数の転送電極の作用により基板の表面領域に形成されるポテンシャル井戸に蓄積する固体撮像素子において、一主面の第1の範囲に複数の分離領域が互いに平行に設けられた半導体基板と、この半導体基板上に上記分離領域と交差する方向に延在し、上記第1の範囲を横切るように配列された複数の転送電極と、上記第1の範囲を取り囲む第2の範囲で上記転送電極の端部と重なるように配置され、各転送電極と規則的に接続される複数の電力供給線と、を備え、上記転送電極は、上記第2の範囲の部分の膜厚が、上記第1の範囲の部分の膜厚より大なることを特徴とする固体撮像素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-323870
  • 特開平4-063439
  • 特開平2-003281

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