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J-GLOBAL ID：200903032799751318

半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置

Inventor： 尾野間 一也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998253123
Publication number (International publication number)：2000091170
Application date： Sep. 07, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 表面への盛り上がりが小さいと共に視認性の優れたドットを形成する半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ表面10にレーザ光7を照射して凹み21を形成し、レーザ照射位置9を円運動させながらレーザ光7を複数ショット照射することにより、一部が重なる複数個の凹み21を所定のドット領域に形成してマーキングを設ける。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ表面にレーザ光を照射して凹みを形成し、レーザ光の照射位置を移動させて一部が重なる複数個の凹みを所定のドット領域に形成してマーキングを設けることを特徴とする半導体ウェハのレーザマーキング方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  B23K 26/00

FI (2)：

H01L 21/02 A ,  B23K 26/00 B

F-Term (7)：

4E068AC01 ,  4E068CA05 ,  4E068CA08 ,  4E068CD02 ,  4E068CE02 ,  4E068CK01 ,  4E068DA10