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J-GLOBAL ID：200903032807150485

電極形成方法

Inventor： 平野 光 ,  シリル ペルノー ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999302540
Publication number (International publication number)：2001127334
Application date： Oct. 25, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】 p-Alx Ga1-x N層の表面にAlの組成比xが0.2以下の高濃度コンタクト層を設けることなく、p-Alx Ga1-x N層(x>0.2)上に良好なオーミック接触の電極を形成可能な電極形成方法を提供する。【解決手段】 p-Alx Ga1-x N層1の表面に、Ni、Au、PtまたはWの単層金属膜、或いは、Ni、Au、Pt、Wの内の2種以上からなる多層金属膜または合金層からなる金属電極6を蒸着形成し、その後、金属電極6とp-Alx Ga1-x N層1の間に電流を流す通電処理により、金属電極6とp-AlxGa1-x N層1間の電気的接触をオーミック化する。更に、通電処理と熱処理を併用してもよい。また、p-Alx Ga1-x N層1上に金属電極6を少なくとも2つ形成し、通電処理を2つの電極6間で行うのも好ましい。

Claim (excerpt)：

p-Alx Ga1-x N層(x>0.2)の表面に、Ni、Au、PtまたはWの単層金属膜、或いは、Ni、Au、Pt、Wの内の2種以上からなる多層金属膜または合金層からなる金属電極を蒸着形成し、その後、前記金属電極と前記p-Alx Ga1-x N層の間に電流を流す通電処理により、前記金属電極と前記p-Alx Ga1-x N層間の電気的接触をオーミック化することを特徴とする電極形成方法。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02 ,  H01L 29/43

FI (3)：

G01J 1/02 J ,  H01L 31/10 H ,  H01L 29/46 G

F-Term (30)：

2G065AA04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  2G065CA08 ,  2G065DA06 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG05 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MA15 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA10 ,  5F049NB10 ,  5F049PA11 ,  5F049PA15 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SE20 ,  5F049WA05