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J-GLOBAL ID：200903032812842077
シリコンウェーハの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
桑井 清一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992181716
Publication number (International publication number)：1994005611
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 完全な鏡面状態を有するIGシリコンウェーハを得ることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。【構成】 CZ法により引き上げたシリコン単結晶棒を例えば650μmの厚さにスライスする(S11)。このシリコンウェーハに例えば面取り加工を施した後、加工歪を除去するためラップする(S12)。ラップしたシリコンウェーハをエッチングしてラップ歪を除去した後(S13)、洗浄して(S14)エッチング液を完全に除く。ここで、このシリコンウェーハについて公知方法によりIG熱処理を施す(S15)。その熱処理後、このIGウェーハをポリッシュして鏡面を得る(S16)。さらに、洗浄した後(S17)、次のデバイス工程(S18)に送る。
Claim (excerpt)：
高温熱処理後、低温熱処理を施すことにより、シリコンウェーハの表面に無欠陥層を形成し、その内部にゲッタリング層を形成するシリコンウェーハのIG熱処理工程を含むシリコンウェーハの製造方法において、シリコンウェーハについてラップ後のエッチング工程に続いて上記IG熱処理工程を施し、その後当該シリコンウェーハを鏡面研磨することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
Patent cited by the Patent：
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